IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡(jiǎn)化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系...
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IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡(jiǎn)化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系...
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IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、...
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在供電系統(tǒng)中，MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后，需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼，即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用，同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔...
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MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小...
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MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，場(chǎng)效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)...
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MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的Source和Drain是可以對(duì)調(diào)的...
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MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，M...
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MOS具有以下特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無(wú)二次擊穿問(wèn)題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點(diǎn)就是能夠減少體積大小與重量，提供給設(shè)計(jì)者一種高速度、高功率...
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mos管在電路中一般用作電子開(kāi)關(guān)，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是M...
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IGBT最常見(jiàn)的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結(jié)構(gòu)。以2 ...
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